Nama merek: | PRECISE INSTRUMENT |
MOQ: | 1 Unit |
Waktu Pengiriman: | 2- 8 minggu |
Ketentuan Pembayaran: | T/T |
Sistem pengujian C-V perangkat semikonduktor 10Hz-1MHz
Pengukuran kapasitansi-voltase (C-V) banyak digunakan untuk mencirikan parameter semikonduktor, terutama pada kapasitor MOS (MOS CAP) dan struktur MOSFET.Kapasitas struktur logam-oksida-semikonduktor (MOS) adalah fungsi dari tegangan yang diterapkanKurva yang menggambarkan variasi kapasitansi dengan tegangan disebut kurva C-V (atau karakteristik C-V). Pengukuran ini memungkinkan penentuan yang tepat dari parameter kritis, termasuk:
·Ketebalan lapisan oksida (dox)
·Konsentrasi doping substrat (Nn)
·Densitas muatan bergerak dalam oksida (Q1)
·Densitas muatan oksida tetap (Qfc).
Fitur Produk
▪Jangkauan Frekuensi Luas: 10 Hz1 MHz dengan titik frekuensi yang dapat disesuaikan secara terus menerus.
▪Keakuratan Tinggi & Jangkauan Dinamis Luas: 0 V ∼ 3500 V dengan akurasi 0,1%.
▪Pengujian CV terintegrasi: Perangkat lunak pengujian CV otomatis terintegrasi mendukung beberapa fungsi, termasuk C-V (kapasitas-voltase), C-T (kapasitas-waktu), dan C-F (kapasitas-frekuensi).
▪IV Tes Kompatibilitas: Pada saat yang sama mengukur karakteristik kerusakan dan perilaku arus kebocoran.
▪Real-Time Curve Plotting: Antarmuka perangkat lunak intuitif memvisualisasikan data tes dan kurva untuk pemantauan real-time.
▪Skalabilitas tinggi: Desain sistem modular memungkinkan konfigurasi fleksibel berdasarkan kebutuhan pengujian.
Parameter Produk
Posisi |
Parameter |
Frekuensi pengujian |
10Hz-1MHz |
Keakuratan output frekuensi |
± 0,01% |
Keakuratan Dasar |
± 0,5% |
Tingkat sinyal uji AC |
10mV ~ 2Vrms (1m Vrms Resolusi) |
Tingkat sinyal uji DC |
10mV ~ 2V (1m Vrms Resolution度) |
Impedansi output |
100Ω |
Jangkauan Uji Kapasitas |
0.01pF ¥ 9.9999F |
VGS Bias Range |
0 - ±30V ((Opssional)) |
Jangkauan Bias VDS |
300V ~ 1200V |
Parameter pengujian |
Diode: CJ,IR,VR MOSFET:Ciss,Coss,Crss,Rg,IDSS,IGSS,BVDSS IGBT:Cies,Coes,Cres,ICES,IGES,VBRCES |
Antarmuka |
RS232, LAN |
Protokol Program |
SCPI, LabView |
Aplikasi
▪Nanomaterial: Resistivitas, Mobilitas Pembawa, Konsentrasi Pembawa, Tegangan Hall
▪Bahan Fleksibel: Uji Tekanan/Torsional/Tekuk, Waktu Tegangan (V-t), Waktu arus (I-t), Waktu Resistensi (R-t), Resistivitas, Sensitivitas, Kapasitas Junciton.
▪Perangkat diskrit:BVDSS,IGSS,IDSS,Vgs ((th),Ciss/Coss/Crss (Input/Output/Reverse).
▪Photodetector: Dark Current (ID), Junction Capacitance (Ct), Reverse Breakdown Voltage (VBR), Responsivity (R).
▪Sel surya perovskit:Voltage sirkuit terbuka (VOC), arus sirkuit pendek (ISC), daya maksimum (Pmax), tegangan daya maksimum (Vmax), arus daya maksimum (Imax), faktor pengisian (FF), efisiensi (η),Resistensi seri (Rs), Shunt Resistance (Rsh), Kapasitas Junction.
▪LED/OLED/QLED: Tegangan maju (VF), arus ambang (Ith), tegangan terbalik (VR), arus terbalik (IR), kapasitas junction.
Nama merek: | PRECISE INSTRUMENT |
MOQ: | 1 Unit |
Rincian kemasan: | karton. |
Ketentuan Pembayaran: | T/T |
Sistem pengujian C-V perangkat semikonduktor 10Hz-1MHz
Pengukuran kapasitansi-voltase (C-V) banyak digunakan untuk mencirikan parameter semikonduktor, terutama pada kapasitor MOS (MOS CAP) dan struktur MOSFET.Kapasitas struktur logam-oksida-semikonduktor (MOS) adalah fungsi dari tegangan yang diterapkanKurva yang menggambarkan variasi kapasitansi dengan tegangan disebut kurva C-V (atau karakteristik C-V). Pengukuran ini memungkinkan penentuan yang tepat dari parameter kritis, termasuk:
·Ketebalan lapisan oksida (dox)
·Konsentrasi doping substrat (Nn)
·Densitas muatan bergerak dalam oksida (Q1)
·Densitas muatan oksida tetap (Qfc).
Fitur Produk
▪Jangkauan Frekuensi Luas: 10 Hz1 MHz dengan titik frekuensi yang dapat disesuaikan secara terus menerus.
▪Keakuratan Tinggi & Jangkauan Dinamis Luas: 0 V ∼ 3500 V dengan akurasi 0,1%.
▪Pengujian CV terintegrasi: Perangkat lunak pengujian CV otomatis terintegrasi mendukung beberapa fungsi, termasuk C-V (kapasitas-voltase), C-T (kapasitas-waktu), dan C-F (kapasitas-frekuensi).
▪IV Tes Kompatibilitas: Pada saat yang sama mengukur karakteristik kerusakan dan perilaku arus kebocoran.
▪Real-Time Curve Plotting: Antarmuka perangkat lunak intuitif memvisualisasikan data tes dan kurva untuk pemantauan real-time.
▪Skalabilitas tinggi: Desain sistem modular memungkinkan konfigurasi fleksibel berdasarkan kebutuhan pengujian.
Parameter Produk
Posisi |
Parameter |
Frekuensi pengujian |
10Hz-1MHz |
Keakuratan output frekuensi |
± 0,01% |
Keakuratan Dasar |
± 0,5% |
Tingkat sinyal uji AC |
10mV ~ 2Vrms (1m Vrms Resolusi) |
Tingkat sinyal uji DC |
10mV ~ 2V (1m Vrms Resolution度) |
Impedansi output |
100Ω |
Jangkauan Uji Kapasitas |
0.01pF ¥ 9.9999F |
VGS Bias Range |
0 - ±30V ((Opssional)) |
Jangkauan Bias VDS |
300V ~ 1200V |
Parameter pengujian |
Diode: CJ,IR,VR MOSFET:Ciss,Coss,Crss,Rg,IDSS,IGSS,BVDSS IGBT:Cies,Coes,Cres,ICES,IGES,VBRCES |
Antarmuka |
RS232, LAN |
Protokol Program |
SCPI, LabView |
Aplikasi
▪Nanomaterial: Resistivitas, Mobilitas Pembawa, Konsentrasi Pembawa, Tegangan Hall
▪Bahan Fleksibel: Uji Tekanan/Torsional/Tekuk, Waktu Tegangan (V-t), Waktu arus (I-t), Waktu Resistensi (R-t), Resistivitas, Sensitivitas, Kapasitas Junciton.
▪Perangkat diskrit:BVDSS,IGSS,IDSS,Vgs ((th),Ciss/Coss/Crss (Input/Output/Reverse).
▪Photodetector: Dark Current (ID), Junction Capacitance (Ct), Reverse Breakdown Voltage (VBR), Responsivity (R).
▪Sel surya perovskit:Voltage sirkuit terbuka (VOC), arus sirkuit pendek (ISC), daya maksimum (Pmax), tegangan daya maksimum (Vmax), arus daya maksimum (Imax), faktor pengisian (FF), efisiensi (η),Resistensi seri (Rs), Shunt Resistance (Rsh), Kapasitas Junction.
▪LED/OLED/QLED: Tegangan maju (VF), arus ambang (Ith), tegangan terbalik (VR), arus terbalik (IR), kapasitas junction.